第1篇 半導體安全與環(huán)保管理
要做好半導體業(yè)的環(huán)保安全衛(wèi)生管理工作，首先必需要了解半導體整體產(chǎn)業(yè)的特性，基本上半導體產(chǎn)業(yè)具有三大產(chǎn)業(yè)特性，第一是資本密集、第二是技術密90 集，第三則是產(chǎn)業(yè)的變動性很大，故因應此產(chǎn)業(yè)的三大特性，相對衍生出以下幾點產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況對工安環(huán)保人員來說相當重要并且必需密切注意，第一個部份是關于設備機臺方面，因為產(chǎn)業(yè)資本密集所以廠房內(nèi)的設備機臺不只種類及數(shù)量繁多而且區(qū)域集中，第二個部份由于半導體技術密集復雜，所以運用于機臺的原物料化學品的種類多樣且相對特性相當?shù)膹碗s且變動性大，會對整體的環(huán)保與安全管理上產(chǎn)生影響、第三則是因為產(chǎn)業(yè)的變動性大，所以制程技術的變動頻率就相對性的增高，而也造成很多現(xiàn)場不管是環(huán)?；虬踩芸厣厦娴膹碗s度，另外同樣因應產(chǎn)業(yè)性變動大，半導體廠里面的人員，包括員工以及設備與工程承攬商的人數(shù)就相當眾多，造成整個人員及工程管理的接口變得十分的復雜。
大體而言半導體業(yè)依制程的先后順序，整體產(chǎn)業(yè)結構可分成以下幾個階段，包括第一個階段為「晶圓材料制造」，第二個階段為「集成電路制造」，及第三個階段則是「封裝測試的制程」，在這三個制程里面，以集成電路制造最復雜且涵蓋面最廣，所以以下的課程內(nèi)容，基本上是針對集成電路制造這樣一個比較復雜的制程結構做相關課程的介紹. 針對集成電路制造，一般而言可以將制程概分成四大部份，第一個部份是擴散制程，第二個部份是黃光制程，第三個部份是薄膜制程，第四個部份是蝕刻制程，各制程的細部功能，請各位同學參考半導體制造的相關數(shù)據(jù)，以下我們則會針對于這四大制程它所有帶來的安全與環(huán)保相關的議題來做介紹探討。
要妥善進行半導體業(yè)的安全與環(huán)保管理，要先對在制程區(qū)域的潛在安全危害有所了解，我們首先談到的是擴散制程，在擴散制程中因為制程需要會使用到許多的酸堿、有機、以及具有刺激性或是具有毒性的氣/液態(tài)化學品，這些化學物質在制程使用的過程中會對作業(yè)環(huán)境及作業(yè)相關人員帶來可能的危害，包括酸堿溶液及有機溶劑所產(chǎn)生的腐蝕、不兼容反應、易燃、引火爆炸及吸入性傷害等，另外制程的需要使用的刺激性及具毒性的氣體亦會對人員造成傷害，當然前面所提到使用的化學品是具易燃易爆的特性，所帶來的火災燃燒危害亦是必需相當注意的重點，此外機臺設施運轉可能帶來的高溫傷，或是機臺設備運作所產(chǎn)生的噪音、機臺設備維修及搬運相關的設施所帶來的人因工程上的危害，以及部份機臺產(chǎn)生游離輻射所帶來的危害，都是必需了解界定的；至于黃光制程的部份則主要是使用光阻液、去光阻劑等有機溶劑所衍生的可能危害，另外對于機臺本身，一樣的因為機臺過于密集，機臺所產(chǎn)生的噪音以及維修及運作過程可能造成的人因工程的危害也是必需加以考慮。
至于在薄膜制程的部份，也因為這個制程的特性，會有以下幾點危害需特別注意，包括刺激性及有毒性的氣體、制程作用產(chǎn)生的金屬熏煙及氧化物逸散，造成人員的吸入性危害，另外如酸堿溶液，游離輻射、噪音、人因工程以及火災爆炸都是在薄膜制程可能會對人員及環(huán)境產(chǎn)生危害；另外還有蝕刻制程，刺激性及具有毒性的氣體酸堿溶液及人因工程是這個制程常見的危害。
剛才介紹的基本上都是所謂制程區(qū)的危害，但在整個半導體廠除了主要的制程區(qū)外，還有附屬設施區(qū)域，這些附屬設施區(qū)域包括有廠務設施的部份，也包括聯(lián)接機臺的幫浦及尾氣處理設備所放置的區(qū)域，在這些區(qū)域主要是提供機臺設備運轉所需的用水、用電、氣體、化學品及機臺反應后端的廢氣及廢液處理，可能產(chǎn)生的危害包括在廠務電力供應設施可能會有高壓電力感電的危害，廠務設施中許多高溫運作設備如鍋爐等可能會有的高溫危害，另外廠務設施中的緊急發(fā)電機、動態(tài)不斷電系統(tǒng)、冰水主機以及馬達等設施設備都是半導體廠里面噪音危害的主要來源，當然從廠務設施的供應給制程機臺使用的酸、堿、有機化學品以及經(jīng)過機臺設備反應以后所產(chǎn)生的所謂廢液，在傳送供應的的過程中可能從供應設施及管線產(chǎn)生泄露，而對人員與環(huán)境產(chǎn)生相關危害，同樣的由廠務供應的具刺激性及毒性的氣體亦可能泄漏因而產(chǎn)生危害，另外因應運作需求，廠務端亦會供應大宗氣體如氮氣，當在非開放空間的工作區(qū)域內(nèi)，發(fā)生上述氣體的大量泄漏時，會造成這個區(qū)域空間里面氧濃度過低的狀況，因此產(chǎn)生窒息性的危害。另外在放置聯(lián)接制程機臺的幫浦及尾氣處理設施的區(qū)域，制程反應所產(chǎn)生的反應物包括氣體或粉末，在維修設備或是管線遭受腐蝕產(chǎn)生泄漏，亦同樣對人員產(chǎn)生吸入性或接觸性的危害。
談完制程區(qū)域跟非制程區(qū)域安全危害的特性之后，我們再來介紹在整個半導體廠里面制程環(huán)境污染的特性，前面提過在半導體廠內(nèi)使用許多不同種類特性的化學品、特殊氣體及有機溶劑，所以在制程末端就會產(chǎn)生相對性的污染排放，在空氣污染的部份包括酸性廢氣的污染，堿性廢氣的污染，當然也包括可燃性與有毒性的廢氣以及有機性廢氣的產(chǎn)生，在廢水方面，根據(jù)制程原物料的特性，在半導體業(yè)廢水大概分成下述幾類似，第一類是因為使用大量的酸堿化學品產(chǎn)生的酸堿廢水，另外在半導體廠因為使用大量的氫氟酸，為能針對其特性加以妥善處理，會在制程產(chǎn)出端加以分流，另外收集以利處理，所以也會有含氟廢水的部份，另外在半導體制程中包括有晶背研磨制程，制程中會加入研磨液產(chǎn)生研磨廢水有些公司為方便后端處理亦會另外收集，還有負責半導體封裝測試的工廠在制程中會使用如含有銅，鉻等重金屬的化學原料，所以會產(chǎn)生含重金屬廢水。
在廢棄物的部份，基本上因應前端制程所使用到的的化學品，考慮濃度及成份，為能進行妥善的處理或是回收使用，不將之直接排入廢水中而另外加以收集，故會有廢酸液、廢堿液、廢溶劑之產(chǎn)生，而廢水廠因為處理制程廢水，利用生物處理或是物化處理后，亦會產(chǎn)生廢水處理污泥；另外設施設備維修更換的報廢零組件，廢棄破損的晶圓ic及含金屬成份的下腳料件，都是屬于法令規(guī)定廢五金的范圍，至于進出貨品所產(chǎn)生的一些廢包裝材，人員活動所產(chǎn)生的生活或辦公性的垃圾，亦都屬于工廠廢棄物的范疇。 除此之外廠務設施中有許多大型會發(fā)出噪音的設施設備包括緊急發(fā)電機、動態(tài)不斷電系統(tǒng)、冰水主機等它都會相對于環(huán)境產(chǎn)生噪音的污染，另外在半導體廠里面輸送原物料的管線、排放廢液的管線或是后端廢水廠的相關管線與儲槽發(fā)生長期或瞬間大量泄露時，也可能會造成地下水或是土壤的污染。
介紹完半導體廠中在制程區(qū)或非制程區(qū)所常見的一些安全危害或是環(huán)境風險之后，我們從風險管理的角度來看一看現(xiàn)在企業(yè)所面臨到的風險，由這張投影片上面我們可以看到現(xiàn)在企業(yè)所面臨的風險涵蓋范圍十分廣泛，包括外部及內(nèi)部、商業(yè)以及非商業(yè)的風險，外部風險包括科技、專利、財務、投資、形象信譽、法令、市場變動等，當然環(huán)保與員工健康及生命安全是風險考慮中相當重要的一環(huán)，在這樣的一個復雜的風險環(huán)境下，不同于其它產(chǎn)業(yè)的地方，基本上我們從風險管理的角度考慮半導體業(yè)的安全與環(huán)境的管理機制，所以下面會針對風險管理的基本概念做初淺介紹。
一般來說在整個風險管理的程序上，大概分成幾個步驟跟順序，第一個步驟是建立風險管理的基本信息，這個部份包括了管理的組織/策略/標準以及整體的管理機制，建立了基本信息后，開始會進行風險辨識的工作，針對企業(yè)或整體環(huán)境中可能遭遇的風險進行有系統(tǒng)的辨識與搜集，再來則會針對風險辨識搜集到的相關信息進行風險分析，一般而言風險高低的程度是依照事件的發(fā)生機率以及它的后果嚴重度來評估，所以在分析時應先針對事件發(fā)生機率及嚴重度進行程度上的定義，再據(jù)以分析經(jīng)過辨識搜集的信息，并加以匯整排序，之后則針對風險高低設立風險等級，將之前的分析結果依等級標準加以區(qū)分，然后依各公司之認知與可承受風險的程度，進行風險接受度分析，如果評斷某一事件是屬于可以被接受的風險，那就會采取定期監(jiān)督與檢討的機制，來確認風險的變動都是在可接受的范圍，如果判定不是可以被接受的風險，則會進行風險控制的手段，將風險管控到可被接收的程度再將之納入定期監(jiān)督與檢討的機制中，當然在整個風險管理各步驟中必需要適時運用溝通與協(xié)調(diào)的機制，來讓整個風險管理程序能夠達到一個完整且動態(tài)的循環(huán)。
由前一張投影片可知，當某一事件之風險超過可被接收的程度時，就必須透過風險控制的步驟將風險控制在可被接受的范圍內(nèi)，所以這里針對風險控制做進一步介紹，在風險評估分析之后會進行所謂的風險接受度分析，剛才已經(jīng)介紹過了如果是風險接受度分析覺得是可被接受的，當然就會繼續(xù)的監(jiān)督及檢討，如果是不可被接受的時侯，會采用風險控制的步驟，一般來說，風險控制的方式概分成四大類:第一是降低風險的可能性，第二是降低后果的嚴重度，第三是風險轉移，大家比較熟知的是進行保險規(guī)劃，第四是避免風險，透過這四種方式的考慮之后，會開始做風險控制的評估，這個部份包括可行性及優(yōu)勢的分析，建議處理的策略以及選擇最佳的處理策略，然后才會進行規(guī)劃處理計劃以及執(zhí)行處理方案，進行控制后再次進行風險接受度分析，如果經(jīng)過分析風險是可以被接受的，則持續(xù)執(zhí)行，并加入定期監(jiān)督與檢討機制中，如果經(jīng)過分析之后風險還是不可以被接受，就再重復做風險控制分析的步驟，一直到所有分析出來的結果是可以被控制的。
整個風險控制的手段與方式，從這張投影片上面可以很明確的看出來，從消除風險到降低風險到最后的個人防護，是一個階層一個階層的動作，舉例來說在半導體業(yè)針對具危害性制程物質的引入，我們會從評估這樣的一個危害性物質是否有必要使用或是可否使用危害性較低的物質進行替代，若無法進行則評估是否利用修改程序來減輕它的危害性或是隔離人員與危害，進而局限危害到最后用工程技術或是行政管理機制來做管控，最后再進行個人防護作人員防護的最后一道保障，用這樣一層又一層的風險控制手段，來保障在半導體業(yè)工作的同仁的個人安全健康也同時保障所謂的環(huán)境的安全。
第2篇 半導體管特性圖示儀安全管理規(guī)定
一、目的：為指導和規(guī)范半導體管特性圖示儀的安全使用。
二、范圍：僅適用于本公司半導體管特性圖示儀。
三、安全操作使用規(guī)程
1.操作者必須了解和熟悉該機性能和使用手冊操作說明書的全部內(nèi)容和工作原理。
2.電源電壓必須符合220v±10%，50de的要求，并有接地保護。
3.為了方便使用者能熟悉地了解整機部分的操作，校正與接插件的作用，說明書第四章節(jié)著重說明應用范圍，注意事項以及簡易的修理等，請使用者詳細閱讀并掌握。
4.該設備使用環(huán)境應通風良好、干燥、無塵、無強電磁干擾。
5.嚴禁各類腐蝕性物品接觸設備，關機后必須切斷電源。
